ZZ-A13中洲測控生產(chǎn)的多晶硅少子壽命測試儀是一款硅片少子壽命測試儀,不僅適用于硅片少子壽命的測量,更適用于硅棒,、硅芯,、檢磷棒,、檢硼棒,、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測量.主要應用于硅棒,、硅芯,、檢磷棒,、檢硼棒,、籽晶,、硅塊、硅片的進廠,、出廠檢查,生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等.多晶硅少子壽命測試儀測試范圍廣:包括硅塊,、硅棒、硅芯,、檢磷棒,、檢硼棒、籽晶,、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量.適用于低阻硅料少子壽命的測量,電阻率測量范圍可達ρ>Ω?cm(可擴展至Ω?cm),完全解決了微波光電導無法檢測低阻單晶硅的問題.全程監(jiān)控動態(tài)測試過程,避免了微波光電導(u-PCD)無法觀測晶體硅陷阱效應,表面復合效應缺陷的問題.貫穿深度大,達500微米,相比微波光電導的30微米的貫穿深度,真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量,避免了表面復合效應的干擾.多晶硅少子壽命測試儀配置兩種波長的紅外光源1,、μm波長紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命.2、～μm波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強較強,有利于測量低阻太陽能級硅晶體.多金硅少子壽命測試儀 測量范圍:1,、研磨或切割面:電阻率≥Ω.㎝的單晶硅棒,、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命.2、拋光面:電阻率在～Ω.㎝范圍內(nèi)的硅單晶,、鍺單晶拋光片.可測范圍:1,、分體式:2μS—10ms2、一體式:μS—20ms