接插件測(cè)試 實(shí)驗(yàn)鑄件測(cè)試 |
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2925動(dòng)態(tài)平板探測(cè)器規(guī)格書
2529動(dòng)態(tài)平板探測(cè)器,具有圖像清晰,、高DQE,、高分辨率等優(yōu)點(diǎn),可以實(shí)現(xiàn)全分辨率14幀/秒,2x2 binning 30幀/秒,4x4 binning 60幀/秒,適用于X射線實(shí)時(shí)成像應(yīng)用
描述 | 規(guī)格(GOS) | 規(guī)格(CsI) |
探測(cè)器類別 | 非晶硅 | 非晶硅 |
閃爍體 | GOS | CsI |
圖像尺寸 | × | × mm |
像素矩陣 | 2048×1792 | 2048×1792 |
像素間距 | 140 um | 140 um |
A/D轉(zhuǎn)換 | 16bit | 16 bit |
探測(cè)劑量 | 20nGy | 14nGy |
大線性劑量(uGy, RQA5) | 150 | 110 |
幀速率(1x1, 140um, 2048×1792) | 14 | 14 |
幀速率(2x2, 280um, 1024x896) | 30 | 30 |
幀速率(4x4, 560um, 512x448, Under Development) | 60 | 60 |
MTF @ LP/mm | //- | //- |
MTF @ LP/mm | //- | //- |
MTF @ LP/mm | //- | //- |
DQE @ LP/mm () | // - | //- |
DQE @ LP/mm () | // - | //- |
DQE@ LP/mm () | //- | //- |
DQE @ LP/mm () | //- | //- |
殘影(%, 300uGy, 60s) | < | < |
空間分辨率 | LP/mm | LP/mm |
X-射線電壓范圍 | 40-150 KV | 40-150 KV |
數(shù)據(jù)接口 | GigE/ | GigE / |
功率 | 20 W | 20 W |
適配器輸入電壓 | AC 100-240V,50-60Hz | AC 100-240V,50-60Hz |
適配器輸出電壓 | DC 24V,60W | DC 24V,60W |
探測(cè)器尺寸 | ×315× | ×315× |
探測(cè)器重量 | kg | kg |
探測(cè)器外殼材料 | Carbon, Al Alloy | Carbon, Al Alloy |
防水等級(jí) | IPX3 | IPX3 |
工作環(huán)境 | 5-35?C,10-75% RH | 5-35?C,10-75% RH |
上海安竹光電科技有限公司 電話:張先生(微信同號(hào)) 網(wǎng)址:
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