大芯超導有限公司元器件專業(yè)分銷商BASiC基本半導體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點,，具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發(fā)射極連接,。此 4 引腳也被稱為開爾文發(fā)射極端子,，繞過柵極控制回路上的發(fā)射極引線電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關(guān)速度并降低開關(guān)能量,。主要規(guī)格有BGH50N65HF1,，BGH50N65ZF1，BGH75N65HF1,，BGH75N65ZF1,，BGH40N120HF特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應用包括：車載充電機（OBC）,、ESS儲能系統(tǒng),、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統(tǒng) (UPS),，以及服務器和電信用開關(guān)電源 (SMPS) ,，基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的方案,。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,，在部分應用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封），使IGBT的開關(guān)損耗大幅降低,，適用于車載電源充電機（OBC）,、通信電源、高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,、儲能等領(lǐng)域,。BASiC基本半導體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開關(guān)優(yōu)化... [詳細介紹]